Yapay Zeka Destekli Otomatik Haber Kümeleme
Donanım Haber

GaN teknolojisinde 4.000 Volt dayanıklı yeni transistör geliştirildi

GaN teknolojisinde 4.000 Volt dayanıklı yeni transistör geliştirildi
Paylaş:

İsviçre’deki araştırmacılar, galyum nitrat (GaN) tabanlı güç elektroniğinde önemli bir sınırı aşmayı başardı. Geliştirilen yeni transistör, 4 kV gerilime dayanırken düşük elektrik direncini koruyor.

Son Gündem Haberleri